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【中信建投电子|刘双锋团队】半导体材料系列:第三代半导体碳化硅行业前瞻

2022-03-08 20:42:53 编辑:双碳时间

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摘要

一、碳化硅性能优势突出,市场规模快速成长

碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件,随着下游需求爆发,2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元,复合增长率为20%,对应的SIC衬底市场规模讲从7亿美元增长到17亿美元,复合增长率为25%。

二、需求:下游产业链应用爆发,SiC市场需求红利释放

我们把SiC器件发展分为三个发展阶段:2019-2021年为初期,2022-2023年为拐点期,2024-2026年为爆发期。SiC随着在新能源汽车、充电基础设施、5G基站、工业和能源等应用领域展开,需求迎来爆发增长,其中,能源汽车是SIC器件应用增长最快的市场,预计2022-2026年的市场规模从16亿美元到46亿美元,复合增长率为 30%。

三、供给:短期产业链受限衬底产能,长期产能扩张带来价格下降

碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分,分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%,由于具备晶体生长过程繁琐,晶圆切割困难等特点,碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM三大供应商,CR3市场占有率达到80%以上,国内厂商为代表的衬底厂商的产品良率、品质和生产效率还有一定差距,短期看中高功率器件产业链的上游主要还受衬底CR3控制,另外随着CR3逐步提高材料自用比例提升,产能的提升的同时市场供给有限,整体供给偏紧状态。根据WolfSpeed数据显示,预计2022年和2024年的产能分别达到167K平方英尺到242平方英尺,折算6寸对应的85万片和123万片,通过测算预计全球2022年和2024年市场销量折合6英寸分别约为170万片至250万片。

四、碳化硅国产突破正加速,迎来中长期投资机会

碳化硅市场海外以IDM为主要运作模式,国内衬底厂商为天岳先进(绝缘型衬底为主)、天科合达(导电型衬底为主)、中电科(烁科)、露笑科技、晶盛机电;外延片方面:瀚天天成、东莞天域、中电科等均已完成了3-6英寸碳化硅外延的研发和生产;器件方面:斯达半导体、士兰微推出SiC MOSFET 功率器件和模块;晶圆代工方面,X-Fab 为最大代工厂,并为80-90%的无晶圆厂碳化硅厂商提供服务;汉磊和积塔大幅增加资本开支用以扩展SiC产能;IDM方面:三安光电具备全产业整合生产能力(衬底/外延/器件/封测)。

五、风险提示:碳化硅及器件良率不及预期;下游需求不及预期

证券报告名称:《半导体材料系列:第三代半导体碳化硅行业前瞻》

对外发布时间:2022年3月8日 

报告发布机构:中信建投证券股份有限公司 

本报告分析师:

刘双锋 SAC执证编号:S1440520070002

孙芳芳 SAC 执证编号:S1440520060001

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刘双锋:电子行业首席分析师,TMT海外牵头人及港深研究组长,SAC执证编号:S1440520070002,SFC中央编号:BNU539。3年深南电路,5年华为工作经验,从事市场洞察、战略规划工作,涉及通信服务、云计算及终端领域,专注于通信服务领域,2018年加入中信建投通信团队,2018年《新财富》通信行业最佳分析师第一名团队成员,2018年IAMAC最受欢迎卖方分析师通信行业第一名团队成员,2018《水晶球》最佳分析师通信行业第一名团队成员。

王天乐:电子行业分析师,SAC执证编号:S1440521110001。清华大学硕士,3年华为工作经验,从事市场洞察、竞争分析、投资组合管理工作,2019年加入中信建投TMT海外团队。

范彬泰:电子行业分析师,SAC 执证编号:S1440521120001。电子行业分析师。电子科技大学工学学士,香港理工大学会计学硕士。2018年5月加入国金证券研究所,担任半导体行业研究员,重点覆盖集成电路和显示面板两大产业链,2021年加入中信建投电子团队。

孙芳芳:电子行业分析师,SAC执证编号:S1440520060001。同济大学材料学硕士,2015年8月加入浙商证券,任电子行业首席,专注研究电子材料、半导体、消费电子、5G板块等领域,2020年5月加入中信建投电子团队。

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